挑战微细化纳米技术---今后15年半导体技术发展方向

       为跟上技术进步的发展步伐，2008年半导体生产设备、材料、零部件行业将出现新一轮产品研发热。该行业大举引进最新的高效率生产技术，挑起了夯实电子产业发展基础的重任。 

       挑战微细化纳米技术 

       最近发表的ITRS(国际半导体技术蓝图)深入分析了今后15年半导体技术发展方向。 

       回顾该行业技术发展的轨迹，我们发现，人们除了把目光聚集到High-k门极电介质的前瞻性引入、超越摩尔定律(后摩尔定律技术)上之外，还格外关注存储器与微机电系统(MEMS)间的对话。2007年11月在夏威夷召开的ITPC(半导体行业国际会议)也把直径450毫米的晶圆、面向3D功能的45μm薄型化晶圆、挑战45纳米以下微细化作为会议的基本议题。 

       2008年该行业的课题是，在上述下一代技术的基础上建立高效率生产线，推出应用产品新方案。 

       利用芯片薄型化技术挑战微细化纳米技术。在尖端半导体制造领域，从晶圆芯片封装工序开始需要预先计算封装形态、生产工序中芯片的受力情况或承载的压力。随着晶圆产品向纳米级微细化发展，用于排除电路间相互干扰的Low-k层将越来越脆弱。另一方面，各方开始引进集成度更高、耗能更低的薄型化堆栈3D芯片技术。 

       目前，通过液体渗透技术已经可以实现微细曝光，但是由于掩膜成像时图形常常走形，需要调整，所以各道工序的工艺设备、材料、胶片、磨具厂家需共享信息，统一步调。 

       目前，大型代工企业正在整合前道工序至封装工序的整套设备。 

       搭载了芯片的印制电路板也有微细化和模块化发展的需求。要求生产厂商摒弃传统的单打独斗的思路，携起手来，相互协作，在封装工序与主板工序领域实现融合。 

       表面抛光工艺不断发展 

       下一代45纳米微细化节点、下下一代32纳米微细化节点技术正在发展。硅晶圆的切割、抛光、光阻涂敷工艺目前还无法克服晶圆表面的极微细异物。在形成电路的时候，为了克服曝光掩膜的日趋复杂和微细化，二次曝光技术被越来越多地采用。为使曝光、显影更微细、更鲜明，波长选择方式被越来越多地采用。源于折射原理的聚光“浸渗”技术已经成为研发的主流。 

       为了消除浸渗给晶圆表面带来的不良影响，需要在晶圆表面进行编码和除痕处理。 

       目前还存在的问题是，芯片上的电路图形在洗涤时容易被冲掉，层与层之间走线的孔洞形状大小不一，表面不够光滑。 

       用于表面抛光、处理的材料是由数百种材料混合在一起，经过反复试验才研制出来的最佳材料。 

       世界半导体制造设备厂商以日、美、欧的研究机构为核心结成了一体，共同开发最佳基础生产技术。同时还担负了技术革新、提高生产率、开拓化合物半导体激光光源及超高辉度LED生产等替代传统光源的革命性半导体产品的使命。2008年该行业将面临硅循环市场的严峻挑战，同时市场的进一步扩大也是可以预见到的。