旺宏携手奇梦达和IBM成功开发NOR Flash新技术

    据DigiTimes网站报道，旺宏与奇梦达（Qimonda）、IBM于29日共同发表相变化存储器技术。旺宏表示，英特尔（Intel）的NOR型快闪存储器（Flash）到了65奈米制程世代恐将面临发展瓶颈，而旺宏与其余2家国际大厂所推出的相变化存储器技术可一举突破此一瓶颈，目前来看此项技术一直到20奈米制程世代均没有太大问题。此外，旺宏也开始为进入NAND型Flash市场准备，推出一套BE-SONOS技术，虽说短时间内不会踏入NAND型Flash市场，但此一技术已被国际半导体业界视为可以接替NAND型Flash的下世代主要技术之一。 

    旺宏29日同时发布2项重要技术，分别是在NOR型Flash与NAND型Flash部份。旺宏表示，受到一些物理条件上的限制，旺宏已得知英特尔到65奈米制程世代时，在制造NOR型Flash产品遇上一定程度的瓶颈，且就算硬是要做的话，也将不会符合成本效应。因此旺宏认为，未来如要进一步继续在NOR型Flash市场上经营的话，则必须有相关配套措施出来，才得以续保旺宏在NOR型Flash市场地位。为此，旺宏日前与奇梦达及IBM三方所共同开发的相变化存储器技术，可视为未来旺宏持续深耕NOR型Flash市场利器，而此联盟所共同开发的相变化存储器技术，应可持续发展到20奈米制程世代，现阶段来看，一直到2016年左右，微缩到20奈米制程世代时，元件依然还是可以正常运作，而旺宏也预期最快5～10年将可正式推出相变化存储器产品。 

    此外，关于旺宏进入NAND型Flash市场一事，旺宏此番则表示，在投资金额的考量上，暂时还不考量进入NAND型Flash。不过对旺宏来说，现今已取得进入此一市场门票，亦即旺宏已开发出的一套名为BE-SONOS的技术。此技术据称将可解决传统快闪存储器在尺寸微小化后所面临的资料相互干扰问题，已被国际半导体业界认为将会是接替目前NAND型Flash的下世代技术。旺宏认为，目前虽然并未跨足NAND型Flash生产，不过，由于已拥有BE-SONOS技术专利，因此未来可望替旺宏带进相当的权利金收入。