Mosaid引领技术 首个65纳米内存控制器IP出炉
知识产权(IP)提供商Mosaid Technologies公司近日推出业界首套采用65纳米工艺技术的完整DDR SDRAM控制器、接口IP和小数分频锁相环技术IP。
Mosaid表示，其Memorize DDR SDRAM控制器和接口IP方案以及Maestro系列小数分频锁相环产品目前已经在由一家领先级晶圆厂采用65纳米工艺技术进行生产，并可以授权给其它晶圆厂。
Mosaid半导体IP高级副总裁Michael Kaskowitz说："面向消费电子产品尤其是便携式设备的片上系统提供商需要能采用65纳米制程的IP，以给芯片留出的空间用于增加的功能。我们的65纳米内存控制器和PLL方案就解决了性能、功耗和风险问题。"
Mosaid表示，其Memorize DDR SDRAM控制器和接口IP方案以及Maestro系列小数分频锁相环产品目前已经在由一家领先级晶圆厂采用65纳米工艺技术进行生产，并可以授权给其它晶圆厂。
Mosaid半导体IP高级副总裁Michael Kaskowitz说："面向消费电子产品尤其是便携式设备的片上系统提供商需要能采用65纳米制程的IP，以给芯片留出的空间用于增加的功能。我们的65纳米内存控制器和PLL方案就解决了性能、功耗和风险问题。"
本文来源：电子工程专辑 作者：
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