LG飞利浦将低温多晶硅制造掩膜减至6枚
韩国LG飞利浦LCD发布了能以6枚（比原来减少3枚）曝光掩膜形成低温多晶硅TFT的技术（演讲序号：7.2）。该公司已采用该技术试制出了7英寸面板。低温多晶硅主要用于制造面向手机显示屏及投影仪引擎等的高精细液晶面板。但是，此前低温多晶硅TFT制造最少需要9枚掩膜。掩膜数量的减少将直接关系到制造成本的削减。
采用新技术，可减少曝光及蚀刻等的制造装置。另外，由于底板处理次数减少，还有望提高成品率。面向电视的液晶面板所采用的非晶硅TFT，可采用5枚以下的掩膜制造。最少的制造技术是LG飞利浦LCD开发的采用3枚掩膜的制造技术。
此次该公司削减的曝光工序为：面向存储器区域形成的曝光工序、栅极的形成工序、旨在连接源极/漏极的电极与布线的接触孔（ContactHole）的形成工序。部分削减办法如下：将形成栅极金属的存储器区域的形成工序组合到了形成低温多晶硅（形成晶体管）的活性化区域的曝光工序中。在决定活性化区域的工序方面，通过采用衍射掩膜，对曝光后的光掩膜进行分级。并在形成活性化区域后，选择性地去除光刻胶较薄的部分，这样可得到与采用2枚掩膜曝光相同的效果。
在公认“水平都很高”（某大型显示器厂商的技术人员）的“Session7poly-SiTFT”上，除了LG飞利浦的上述演讲外，还发表了多项关于制造成本削减方法以及旨在提高分辨率的增强多晶硅结晶性方法的技术。
本文来源：技术在线 作者：
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