台积电将铜工艺引入0.13微米嵌入式闪存制造过程
晶圆代工厂商台积电(TSMC)日前表示，已经开始使用0.13微米工艺量产嵌入式闪存芯片，该公司宣称是首家将嵌入式闪存制造工艺降到这个刻度的晶圆厂。
台积电表示，嵌入式闪存过程工艺兼容早期技术，并且适合台积电0.13微米通用和低功率逻辑工艺过程。
台积电也首次将铜工艺引入嵌入式闪存制造，该公司内存平台行销主管Sam Chen表示，“这是我们非易失性内存技术发展的另一个里程碑。”
据称，该过程工艺适用于生产ZigBee/Wibree器件、无线耳机、助听器、智能卡和其他需要工作电压在1.2到1.5伏特的应用。
本文来源：国际电子商情 作者：
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