英飞凌同意认证IBM的130nm嵌入式flash

       Infineon技术AG宣布已经同意认证IBM的嵌入式flash存储制造工艺。130-nm级工艺将投入到IBM在北美的生产中，Infineon同时说未来基于该工艺的产品将采用IBM的代工。

       自2006年年初以来，Infineon的130-nm级嵌入式flash工艺已经实现了量产，被在从汽车系统到智能卡等设备的微处理芯片中。

       “我们达成这项认证和代工协议从而拓展我们为与IBM之间长期以来的合作与技术发展而感到欣慰。” Infineon的汽车，工业和多市场部门主管Peter Bauer说。“通过这种合作，Infineon依靠自身IP工艺优势，赢得了新的量产基地，加强了与长期伙伴之间的工作关系。

       “通过与嵌入式Flash技术的世界级巨头之一Infineon的合作，将加大我们在半导体产业的投资比重。”IBM全球工程解决方案负责半导体方面的副总裁Steve Longoria说。“这项认证协议将会为我们提供流行的技术基础支持并完善我们的类似和混合信号专业技术。”

       这种工艺的整合和认证工作已经在IBM位于Vermont州Burlington的200-nm晶圆工厂启动，并计划在在2008年下半年完成具备可行性的整套初步设计。