台积电斥资50亿美元盖研发晶圆厂投入32、22及15纳米工艺技术

       台积电董事长张忠谋11日出席竹科园区三五路建厂用地公共工程联合动土典礼时表示，台积电预计斥资50亿美元兴建研发晶圆厂，专注于32、22及15纳米3个世代先进工艺技术研发。目前台积电主力12英寸晶圆厂Fab12主要投入90、65及45纳米3个世代工艺技术，规划兴建新的研发晶圆厂，可说是揭开另一个全新半导体技术时代来临。

       尽管晶圆代工业者纷下修2008年资本支出，但为布局长期竞争力，对于12英寸厂研发技术、产能扩充仍不能掉以轻心。张忠谋表示，将在竹科三五路以50亿美元打造研发晶圆厂，跨入32纳米以下工艺技术，与联电南科12B厂不相上下。

       相较于台积电次世代工艺技术确定落脚竹科，联电则在南科耗资约15亿美元打造研发中心，并以金额与台积电相当的50亿美元兴建第2座12英寸厂12B。以2008年台积电、联电资本支出各约18亿、5~7亿美元来看，要盖1座12英寸厂并非2~3年内可一蹴可及，同时这也代表未来跨进先进工艺投资，口袋得更深些，投资研发绝不能手软。

        无独有偶地，中国内地中芯国际投资12英寸厂亦有新动作，位于武汉的新芯第1期工程顺利封顶后，近日也移入前段黄光工艺所需微显影设备。中芯国际执行长张汝京曾表示，未来新芯将以生产4大产品为主，包括NOR型快闪存储器(Flash)、NAND Flash、嵌入式存储器(MCP)与OTP(One-Time Programmable)，年中初期试产目标3,000片，年底则达6,000~8,000片。

        此外，园区三五路用地除台积电进驻，还包括世界先进12英寸厂预定地，这块地台积电于4年前便提出申请，但征地争议过程曲折，最后在新任科管局局长黄得瑞手中完成此项任务。虽然台积电过去曾考虑于中科设厂，但内部仍以竹科用地为建厂首选，以达最大群聚效益。至于世界先进，目前则尚未对外揭示12英寸厂建厂预算与规划。

        事实上，竹科半导体产业长期面临用地严重不足问题，竹科管理局自2005年开始协助寻找用地，经过长达4年征收，终于让半导体厂得以继续在竹科兴建下世代晶圆厂，此次建厂用地落脚在竹科园区三五路，总面积达31公顷，提供台积电、力晶和世界先进3家半导体业者使用，初期将投资新台币4,500亿（约人民币1,000亿）元兴建新厂，其中，台积电预计投入50亿美元，力晶估计约新台币2,500亿元，世界先进亦将在此兴建1座晶圆厂，待3家半导体业者厂房完工后，年产值将达新台币3,000亿元。

        图 台积电董事长张忠谋(图左起)、力晶董事长黄崇仁、世界先进董事长林全11日均亲自参加竹科新建厂用地公共工程联合动土典礼。