三星Hynix联手研发新1代半导体芯片
6月26日消息，世界顶级芯片制造商三星电子与Hynix周三宣布，将联手发展下一代半导体芯片。
据国外媒体报道，三星与Hynix表示，双方将合作进行旋转力矩转移-磁性随机存储器(STT-MRAM)芯片的研发工作，并将致力于使其成为下一代450毫米晶圆的行业标准。
三星与Hynix表示，研发工作将于8月份开始着手实施。
三星与Hynix预计，全球新一代芯片市场将在2012年左右趋于成熟。
本文来源：赛迪网 作者：
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