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中芯国际透露40nm和32nm工艺开发计划

2008-10-08      嵌入式在线      收藏 | 打印

        中国大陆代工厂商中芯国际(SMIC)近日透露了将于2009年推出45nm和40nm技术。总部位于上海的中芯国际希望在2011年前完成32nm的开发,并称公司正与IBM商讨32nm技术授权事宜。中芯国际未透露该合作细节。

        在65nm节点之前,中芯国际一直自主开发工艺。而去年下半年中芯国际获得了IBM 45nm技术授权。

        中芯国际在技术方面落后于其主要竞争对手——特许、台积电和联电。特许作为IBM“fab club”成员,计划于2009年底前推出32nm技术。IBM的32nm技术包括高k金属栅技术。

        中芯国际表示,对于目前公司所处的市场地位表示满意,称公司更愿意成为数字电路代工领域的“快速追赶者”。风险投资公司Walden International创始人兼主席Lip-Bu Tan在近日举行的2008中芯国际技术论坛中表示,65nm和45nm技术较之前的节点将存在更长的时间,部分是因为高额的设计、掩膜等成本。

        相对于竞争对手,中芯国际并未停滞不前。“我们落后于最先进的技术一个世代,但我们正在追赶。”中芯国际美国区总裁Sam Wang表示。

        然而目前代工市场正在放缓。代工厂的初制晶圆数量正大幅减少。据HSBC Global Technology Research的分析师Steven Pelayo表示,第四季度晶圆代工厂的产能利用率将降低至75%以下。

        Wang表示,中芯国际保持对第三季度的预期,但未对第四季度发表评论。

        中芯国际的45nm和40nm工艺将在位于上海的300mm工厂投产。中芯国际预计32nm工艺将要到2011年第二季度之后才发布。在公司技术线路图上,该32nm低功耗技术将于2011年第二季度进入“工艺验证”阶段。而32nm以下节点未出现在中芯国际的技术线路图中。

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