力晶选用Nikon新款浸没式扫描光刻机装备12寸晶圆厂

　　据Semiconductor Reporter网站报道，尼康精机（Nikon Precision）近日宣布，台湾力晶半导体股份有限公司（Powerchip Semiconductor Corp.）已选用其NSR-S610C ArF浸没式扫描光刻机装备该公司在台湾新竹的12寸晶圆厂，用于50nm NAND闪存制造。

　　据尼康透露，力晶之所以选用该款新品主要是因为这一设备具有无缺陷浸没光刻能力，并且套准精度与干法光刻系统相当甚至更好。Nikon Precision Equipment Co.的总裁Kazuo Ushida表示：“我们很高兴力晶选择我们作为其浸没式光刻技术的供应商，这将延续我们与力晶在前沿设备和非关键层光刻方面长期稳定的合作关系。”

　　尼康指出，NSR-S610C建立在为今年1月出货的NSR-S609B开发的浸没式技术基础之上，其采用的局部填充技术（Local Fill Technology）能够消除扫描导致的浸没缺陷、气泡、水渍或晶圆背部玷污。该项技术还能消除浸没液体的蒸发，从而有力于防止由浸液导致的套准问题。

　　此外，NSR-610C的Nikon Tandem Stage采用具有不同功能的双工件台，产能和精度以及长期稳定性均有提高；其具有的折反光学与高达1.3的数值孔径则使之能够胜任45nm半线宽量产。

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