NEC、Elpida、OKI发表大容量DRAM堆栈技术
NEC Electronics、Elpida、OKI发表，将DRAM堆栈而达到大容量化之半导体技术。该技术乃在一封装中，堆栈8颗芯片，而将容量提高8倍；使用一般使用之512Mb DRAM，容量即可达4Gb。相较以单芯片方式达到大容量化，开发时间提早3-6年。虽在制程技术持续进步下，DRAM容量大幅提高，但4Gb DRAM单芯片估计在2009年左右才可能实现。
三家公司乃开发出将半导体芯片贯穿之配线、电极形成，以及芯片间以最短距离连接的加工组装技术。该技术可使携带式电子装置亦可配备服务器等级的大容量DRAM，而得以进行高画质规格动画、3D影像的高速处理。
本文来源：存储时代 作者：
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