三星公布50nm 16Gb NAND闪存芯片样品
韩国三星电子宣布拿出采用50nm工艺的16Gb NAND闪存芯片样品。这种16Gb NAND闪存芯片样品采用多层Cell（MLC）设计，具有4KBpage尺寸。三星电子宣称，4KBpage尺寸NAND闪存芯片的读取速度，将比传统2KB page尺寸的闪存芯片快上1倍，同时写入速度也将提升150%。
韩国三星电子准备在今年第一季度大规模量产16Gb NAND闪存芯片。三星电子的50nm工艺的16Gb NAND闪存芯片，将内建CTF架构，在提升产率同时改进闪存芯片性能。三星电子表示，50nm工艺的16Gb NAND闪存芯片大批量生产，将加速闪存固态硬盘的研发和普及。
在去年3月份，三星电子研发出32GB的NAND闪存固态硬盘。三星电子表示，2010年市场对闪存固态硬盘市场价值将达45亿美金。
韩国三星电子准备在今年第一季度大规模量产16Gb NAND闪存芯片。三星电子的50nm工艺的16Gb NAND闪存芯片，将内建CTF架构，在提升产率同时改进闪存芯片性能。三星电子表示，50nm工艺的16Gb NAND闪存芯片大批量生产，将加速闪存固态硬盘的研发和普及。
在去年3月份，三星电子研发出32GB的NAND闪存固态硬盘。三星电子表示，2010年市场对闪存固态硬盘市场价值将达45亿美金。
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