IBM联手TDK研发大容量高密度MRAM磁阻芯片

　　IBM和TDK两公司宣布将携手研发大容量、高密度的MRAM，以推动MRAM（磁阻内存）的量产和市场推广。联合研发计划的重点是开发高容量、高密度的磁阻内存电路，他们将研究如何应用自旋动量转移来生产体积更小的数据存储单元。IBM公司与TDK公司联合研发计划为期四年，将在IBM公司和TDK公司的多个研究机构内进行，其中包括TDK公司在美国加州Milpitas市的研发中心。

 图：飞思卡尔推出的全球第一款商用MRAM磁阻芯片

　　众所周知，传统的内存使用电荷来存储数据，而MRAM（磁阻式随机存取存储器）内存则使用电磁性能存储数据。在不供应电能的情况下，仍可以保留所存储的数据。它也没有读写次数限制，功耗更低，速度比目前的闪存也快得多。不过，目前磁阻内存的生产成本还比较高。

　　MRAM被认为是未来的内存，使用它我们可以迅速开启电脑，况且每次启动时无须向内存中加载软件。将来如果磁阻内存获得推广，我们将可以在几秒钟之内启动电脑系统。因为磁阻内存的数据断电也可自行保存，无须再从硬盘上载入。 不过，目前市场上的MRAM芯片容量仅几兆字节，只能满足嵌入式控制系统的要求，还不能满足现代个人电脑的需求。

　　如果TDK和IBM公司的研究成功，将可以满足生产体积小、容量大的芯片需求。同时，两公司希望能够扩大MRAM芯片的容量使其更加广泛地应用于手机和手持电脑中。业内人士预计，磁阻内存将取代今天所有的内存和闪存产品。

　　MRAM(磁阻式随机存取存储器)利用微小的磁场而不是电荷来存储数据，是一种非易失性存储产品。它的功耗更低，速度更快，被认为是内存技术的未来。半导体知名厂商飞思卡尔曾在去年7月就开始商业化生产4MB的MRAM芯片。今年3月份，中国科学院物理所也曾宣布研发出一种全新的磁阻内存。以前，IBM曾与英飞凌在MRAM技术上开展过合作。