安森美半导体推出PureEdge™高性能时钟产生器件

       2007年12月13日，全球领先的高能效电源半导体解决方案供应商安森美半导体 (ON Semiconductor)扩展其PureEdgeTM高性能时钟产生产品系列，推出NB3N3002和NB3N5573这两款在同类产品中为最佳的器件。

       安森美半导体亚太区标准产品部市场营销副总裁麦满权说：“当我们向2008年迈进时，我们仍将持续专注于大力拓展时序业务。我们的PureEdgeTM产品系列被证明是业内现有最佳的基于锁相环(PLL)且具有低相位噪声的时钟产生技术。随着我们进一步扩大PureEdgeTM产品阵容，我们预期将继续获得业界公认，是时钟产生市场的表表者，及时钟树的整体解决方案供应商。”

        NB3N3002和NB3N5573是3.3伏(V)时钟产生器，生成频率可在25、100、125和200兆赫(MHz)之间选择的主时钟信令等级(HCSL)和亚皮秒(ps)抖动的优质时钟。这些器件非常适合于PCI Express、千兆位以太网(GbE)和双列直插内存模块(FBDIMM)应用。与标准的晶体振荡器和硅基竞争时钟产生器件相比，PureEdgeTM架构提供更高的设计灵活性及更低的系统成本。

       NB3N3002生成一组差动HCSL输出时钟，NB3N5573则提供双输出。这两款器件采用先进的   0.25微米(μm) CMOS技术，相位噪声性能大幅超越竞争器件，可与昂贵的表面声波(SAW)晶体振荡器相媲美。这些器件以低成本25 MHz晶体生成的高质量时钟具有四种可供选择的输出频率和集成的1:2扇出缓冲器(NB3N5573)。在100千赫(kHz)载波频率偏移处，NB3N5573提供的相位噪声为130 dBc/Hz(每1赫带宽内单边带相位噪声功率与载波功率之比)。

      与安森美半导体所有的PureEdgeTM器件相似，这些新的时钟产生器为系统设计人员省下更多的珍贵时序预算，并提供真正的设计灵活性。硅基时钟产生IC，如NB3N3002和NB3N5573本质上比昂贵的晶体振荡器更易于制造，故能降低总体系统成本，并大幅缩短产品上市时间。NB3N5573与功能相竞争的器件ICS557-03引脚兼容，能够替代这器件。在没有采用扩频功能下，NB3N5573提供更佳的抖动性能，使其在不需要同步状态信息(SSM) 下更发挥价值。

      麦满权说：“安森美半导体持续为客户提供具有最高性能、最佳质量及价格具竞争力的时序解决方案。我们公司树立了供货可靠和客户服务卓越的声誉，进一步增强了客户对我们的信心。在新的一年，我们计划推出更多的PureEdgeTM产品，针对时序产品市场严苛技术的要求和独特行业挑战。”

       封装和价格

        NB3N3002和NB3N5573采用5.0 mm × 4.4 mm无铅TSSOP-16封装，每2,500片的批量预算单价为1.80美元。

        更多信息，请访问http://www.onsemi.com/circuitprotection或联系麦满权(电邮：M.K.Mak@onsemi.com)。