Zetex新款无铅型MOSFET将占位面积减半

     2008 年3月10日,模拟信号处理及功率管理方案供应商Zetex Semiconductors （捷特科）公司推出其首款采用无铅 2mm x 2mm DFN 封装的 MOSFET 产品 ZXMN2F34MA。该器件的印刷电路板占位面积比行业标准 SOT23 封装器件小 50%，板外高度只有 0.85 mm，适用于各类空间有限的开关及电源管理应用，如降压/升压负载点转换器中的外置开关。对这些应用而言，印刷电路板的占位面积、散热性能及低阈值电压是最重要的。

      MOSFET 是 Zetex 六款新型低电压 （20V和30V）N沟道单双器件系列的一款，该系列有不同的表面贴装封装可供选择。

      尽管尺寸缩小了，额定电压为 20V 的 ZXMN2F34MA的散热性能却胜过体积比它大得多的 SOT23 封装。该器件采用的 DFN322 无铅封装可保证热阻比同类产品低 40%，有助于降低工作温度和改善功率密度。在 4.5V 和 2.5V 的典型栅源极电压下，ZXMN2F34MA 的导通电阻值分别仅有60mΩ 和120mΩ。

    此外，新器件的反向恢复电荷较低，可减少开关损耗和电磁辐射（EMI）问题，非常适用于笔记本电脑、移动电话及通用便携式电子设备等低电压应用，这些应用需要降低在线功率损耗来延长充电间隔时间。

      ZXMN2F34MA 系列采用 DFN322 封装，其中 ZXMN2F34FHTA、ZXMN2F30FHTA和 ZXMN3F30FHTA 三款采用 SOT23 封装的 N 沟道MOSFET；ZXMN3F31DN8 和 ZXMN3G32DN8 两款则是采用 SO8 封装的双 N 沟道器件。