IR全新30V DirectFET MOSFET系列为同步降压转换器设计

        国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) ，推出专为笔记本电脑、服务器CPU电源、图形，以及记忆体稳压器应用的同步降压转换器设计而优化的全新30V DirectFET MOSFET系列。

       新器件系列结合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术，比标准SO-8器件的占位面积小40%，而且采用了0.7mm纤薄设计。新一代30V器件的导通电阻 (RDS(on)) 非常低，同时把栅极电荷 (Qg) 和栅漏极电荷 (Qgd) 减至最少，并以极低的封装电感减少了导通及开关损耗。

        IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“凭借我们基准的功率MOSFET硅器件和DirectFET封装，新的30V器件具有非常低的RDS(on)、Qg和Qgd特性，可提高整个负载的效率和散热性能。这也有助于实现每相位25A的操作，同时保持单一控制和单一同步MOSFET的小巧体积。” 

        IRF6724M、IRF6725M、IRF6726M，以及IRF6727M具有极低的RDS(on) 特性，非常适合高电流同步MOSFET。这些新器件与上一代器件采用通用的MT和MX占位面积，所以当需要提高电流水平或改善散热性能时，易于从旧器件转向使用新器件。

       IRF6721S、IRF6722S与IRF6722M极低的Qg和Qgd，使这些器件非常适用于控制MOSFET。它们还有SQ、ST和MP占位面积可供选择，可以使设计更具灵活性。

      产品规格

      器件 
      编号
       BVDSS 
      (V)
       10V下典型RDS(on) (mOhms) 4.5V下典型RDS(on) (mOhms) 典型QG (nC) 典型QGD 
      (nC) DirectFET 外形代码 
      IRF6721S 30 5.1 8.5 11 3.7 SQ 
      IRF6722S 30 4.7 8.0 11 4.1 ST 
      IRF6722M 30 4.7 8.0 11 4.3 MP 
      IRF6724M 30 1.9 2.7 33 10 MX 
      IRF6725M 30 1.7 2.4 36 11 MX 
      IRF6726M 30 1.3 1.9 51 16 MT 
      IRF6727M 30 1.2 1.8 49 16 MX

        产品详细信息可以登录IR 网站查询：http://www.irf.com/whats-new/nr080522.html。 

        新器件符合电子产品有害物质限制规定 (RoHS)，并已接受批量订单。