英飞凌面向700MHz频带提供全新射频功率晶体管系列

        2008年6月26日，德国Neubiberg和佐治亚州亚特兰大讯——英飞凌科技股份公司（FSE/NYSE:IFX）在近期举行的IEEE MTT-S国际微波研讨会上，发布了专门面向700 MHz频段无线基础设施应用的全新射频功率晶体管系列。该频段在美国将用于承载4G（第四代）蜂窝、移动电视广播和其他移动宽带服务，其中包括LTE（长期演进）和下一代无线网络标准。这一全新系列产品拓展了英飞凌的射频功率晶体管组合，包括一个55 W驱动器及两个输出级晶体管（分别为170 W和240 W），在700 MHz频段提供业界最高水平的峰值功率。

       基于英飞凌先进的LDMOS （横向扩散金属氧化物半导体）工艺，这些全新器件拥有内部输入和输出宽带匹配特性和高线性度，从而简化了放大器设计。它们可理想地应用于Doherty放大器，通过结合并行载波和峰级实现更高效率。在移动电话和无线互联网系统设计领域，Doherty放大器正变得日益流行。

       英飞凌公司射频功率器件部副总裁兼总经理Helmut Vogler表示：“消费者的要求日益苛刻，他们希望所使用的无线网络提供固网链接所能提供的一样的体验和应用，在700 MHz频带上运营的网络将支持互联网应用从固定链接迁移到移动链接，其中包括IP语音、视频流媒体、音乐下载和移动电视。我们全新的700 MHz射频功率晶体管将帮助建立必要的基础设施，以支持消费者对专门面向全新移动应用定制的新一代消费电子设备的需求。”

       器件详情

       英飞凌 PTFA070551E/PTFA070551F FET 的典型性能： 在28 V供电电压下， 双音峰值包络输出功率55W时, 增益为18.5 dB、效率为48 %。

       对于 PTFA071701GH/PTFA071701HL  FET来说，双音峰值包络输出功率170W时，增益为18 dB、效率为40%。

       PTFA072401E/ PTFA072401F LDMOS晶体管在30 V供电电压下双音峰值包络输出功率240W时的典型性能： 增益为18.dB、效率为40%。

       所有这些产品均采用符合无铅/RoHS 标准的导热增强型空腔塑料封装，带有开槽或无耳法兰，能承受输出端连续波（CW）10:1的电压驻波比（VSWR）。

     供货和定价

      全新700 MHz射频功率晶体管的样品现已开始供应，批量生产定于2008年第四季度。请联系英飞凌销售代表了解价格信息。

     英飞凌正在美国乔治亚州亚特兰大举行的IEEE MTT-S国际微波研讨会（2008年6月16日至19日， 1216展位）上展示其全新系列的700MHz LDMOS射频功率晶体管。