低功耗44Gb/s CDR芯片内嵌在CMOS芯片中

        富士通实验室开发出了业界第一个能以40～44Gb/s的速率执行时钟和数据恢复的CMOS芯片，使高速光SerDes模块的实现成为可能。一个由ISSCC出具的报告指出该芯片分解信号的速率为16×2.5Gb/s，符合ITU    G.8251抖动公差标准。

       该芯片在数据率为40Gb/s时的功耗为0.9W，小于用SiGe、BiCMOS或其他复合半导体技术制成的器件的1/3。它使用了创新的3X过采样构架，输入数据是用24相10GHz分布式VCO采集的。这个0.8mm×1.8mm芯片是用90nm工艺制作的。商业版的样品将在7个月后推出。要想了解更多的信息，请访问http://www.fujitsu.com/us。

图 CDR原型芯片能达到44Gb/s的速度