卓芯微电子推出RCR1565FB双P沟道增强型场效应管

        卓芯微电子(Innova Semi)推出双P沟道增强型场效应管产品RCR1565FB。P沟道增强型场效应管采用高密度DMOS生产工艺，具有极低的导通电阻，并且在低至1.8V的栅极电压下仍可正常开启。

        RCR1565FB主要应用于基于TI平台的手机设计方案的充电线路，其基本电路如下图所示：

       电源管理器件通过控制栅极电压，达到控制两颗PMOS的开关频率的目的，PMOS中的寄生二极管可以防止VBAT电流倒灌。

       RCR1565FB具有以下特点：

       极小的导通电阻使器件在工作状态下产生极少的功率耗散，提高了能效；

       采用DFN2×2封装(2.0×2.0×0.55mm)，节约PCB占板面积，其0.55mm的厚度更是有利于超薄机型设计；

       在器件腹部增加了散热片，大幅提升器件额定功耗和散热能力，防止PCB热损伤，提升整机安全性。