ARM9系列和ARM7TDMI内核的性能比较
介绍:
更多的晶体管,更复杂的设计,让ARM9TDMI和ARM9E-S内核在同样的硅片工艺下,性能超过ARM7TDMI或ARM7TDMI-S内核的两倍。性能提升是因为ARM9可以运行于更高的主频,而执行一些常用的指令也耗费更少的时钟周期1。
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更多的晶体管,更复杂的设计,让ARM9TDMI和ARM9E-S内核在同样的硅片工艺下,性能超过ARM7TDMI或ARM7TDMI-S内核的两倍。性能提升是因为ARM9可以运行于更高的主频,而执行一些常用的指令也耗费更少的时钟周期1。