英特尔计划在2008年推出65纳米嵌入式NOR闪存
英特尔(Intel)公司日前表示，计划在2008年使用65纳米制造过程生产嵌入式NOR闪存芯片。
英特尔闪存产品部总经理Glen Hawk表示，“与手机或者其它消费电子器件相比，大多数遗留下来还在生产的嵌入式设计拥有更长生存周期。” Hawk补充到，用于无线应用的独立NOR闪存已经开始使用65纳米制造过程。
该公司透露，嵌入式NOR闪存采用并口和串口规格。看来，英特尔似乎使用“嵌入式”名称来指一套应用，而非表明NOR闪存是嵌入到一个逻辑芯片中。
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