英特尔大连厂2009年投产
近日在大连召开的第六届中国半导体封装测试技术与市场研讨会上，英特尔（大连）有限公司总经理代表张仲民透露，目前英特尔大连芯片厂土建工程已经基本完成，正快速进入机械、电力和管道安装阶段。总投资25亿美元的英特尔大连芯片厂，在2007年9月动工兴建，计划在2010年夏季投产。按照目前施工进度，很有可能在2009年就具备试生产能力。
谈到封装技术发展趋势，张仲民表示，英特尔已经将芯片的封装从微米级带入到纳米级。纳米级的封装工艺更加需要新型的封装材料的应用，同时叠层封装，细间距互联以及嵌入被动元件将是未来发展的方向，以满足市场对体积更小、速度更快、可靠性更高的电子产品的需求。
本文来源：半导体国际 作者：
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