ST发布STC03DE220HV ESBT功率开关

         电源应用的世界领先企业意法半导体宣布推出STC03DE220HV ESBT（发射极开关双极晶体管）功率开关，新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效，降低产品的成本、组件数量和尺寸。

         STC03DE220HV是额定击穿电压2200V的ST ESBT新系列的首款产品。在电源电压90V AC到690V AC的通用输入转换器中，新产品让设计工程师采用单功率开关的反激式拓扑。使用一个通用的硬件平台，再配合适合的控制器如L6565，ST完整的ESBT产品让设计工程师能够开发最大功率达到250W的准谐振转换器。

         高效开关频率高达150kHz，最大额定电流3A，STC03DE220HV可用于各种辅助开关电源，包括商用电表、感应电机逆变器、电焊设备和不间断电源（UPS）。强化的TO247-4L封装是新产品的另一个亮点，8.9mm的爬电距离超出了IEC664-1在最大2200V工作电压下的绝缘要求。

         集通态损耗低、来自传统MOSFET的开关频率高、栅驱动设计简易等三大优点于一身，STC03DE220HV利用ESBT技术优化了标准双极晶体管和高压MOSFET。从集电极到源极，STC03DE220HV达到了0.33 欧姆的等效导通电阻，同时还实现了150kHz的最大开关频率，如此高的工作频率允许设计使用尺寸更小的滤波器。此外，整个裸片尺寸小于同级别电压的高压MOSFETx，产品本身就实现了节省成本的目的。ESBT的正方形安全工作区（SOA）还有助于简化电源设计，确保电源在各种环境中都有可靠的性能表现。

       STC03DE220HV现已量产。

       详情请访问www.stmicroelectronics.com.cn/esbt

       理论上，“同级别电压的高压MOSFET”是指当前市场上销售的最高额定电压1500V的MOSFET。