飞思卡尔发布LDMOS射频功率晶体管MRF6VP11KH

　  日前，飞思卡尔半导体在美国夏威夷召开的IEEE MTT-S国际微波大会上，宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管——MRF6VP11KH 。

飞思卡尔先前推出的MRF6V2300N晶体管

　  MRF6VP11KH提供130 MHz、1kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。其将被设定为射频性能的新标准。

　  据悉，该晶体管的操作电压为50V，与双极和MOSFET设备相比，具有明显的优势。它能够为核磁共振成像(MRI)系统、CO2激光器、等离子体发生器和其他系统提供所需的功率。并以空前的功率水平实现高增益。与传统设计相比，部件数量可减少70%。部件数量的大幅减少，可以使主板空间要求和制造复杂性随之降低，最终使放大器成本全面降低。

　 “MRF6VP11KH的推出，在效率、输出功率、可靠性和设计集成的便利性等各方面设定了新的行业基准。任何其他射频功率设备（包括LDMOS、MOSFET和双极）都无法实现这样的性能。我们将继续针对这类市场推出创新设备，让我们的客户能够攻克系统性能的新障碍。”飞思卡尔副总裁兼射频部总经理Gavin P. Woods表示。ABI Research半导体研究主任Lance Wilson表示：“飞思卡尔凭借50V LDMOS已经突破RF 1kW脉冲功率级别。MRF6VP11KH的高增益、高效率、低热阻和高输出失配可存活性都给人留下了深刻印象。”

　 该晶体管可以在10-150 MHz之间运行，采用了飞思卡尔第六代高电压 (VHV6) LDMOS（横向扩散金属氧化物晶体管)技术。

　 一般来说，需要2kW 脉冲输出功率和45dB增益的应用通常需要1个15W的预驱动器、2个15W的驱动器和8个终端放大器，还要使用MOSFET或双极设备，总共包括3个进阶和11台设备。但基于MRF6VP11KH的设计则只需要3台设备，1个10W LDMOS驱动器和2个MRF6VP11KH终端放大器能够产生同等的输出功率和更高的50 dB增益。

　  另外，对于给定功率水平，MRF6VP11KH使用50V偏置电压，能够产生更高终端阻抗，这让设备更容易与放大器电路匹配。飞思卡尔符合RoHS的气泡封装热阻测评低于0.13o C/W θJC，可提供有效的热管理，并减少散热片尺寸。MRF6VP11KH 还带有集成静电放电 (ESD) 保护，因而除了在电子制造中看到的日常处理外，就不再需要特别的处理。

　  目前，飞思卡尔已经开始提供MRF6VP11KH样品和支持的参考设计，将在2007年第四季度开始批量生产，价格未公布。