易观国际编选: 飞思卡尔扩展MRAM产品系列

       经常有人将磁阻RAM（MRAM，magnetor－esistive random access memory）称作是非易失性存储器（nvRAM，Non－Volatile RAM）在未来的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术，MRAM是可以在掉电时保留数据，并且不需要定期刷新。MRAM利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性，它的寿命几乎是没有限制的　。MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存和其他要求高速、耐用和非易失性的商业应用。

       作为首家将MRAM　技术商业化的公司，飞思卡尔通过不断推出经济高效而且可靠的非易失性存储器来长期引导市场发展。飞思卡尔2006年推出的MR2A16A 4Mbit　产品是全球首款商用MRAM器件，工作于商用级温度范围（0℃￣＋70℃）。

       不久前，飞思卡尔半导体又成功推出全球首款3V 4Mbit的扩展温度范围（－40℃￣＋105℃）的非易失性RAM（nvRAM）产品MR2A16AV，从而扩展了其获奖磁电阻式随机存储器（MRAM）的产品系列。飞思卡尔提供了新的扩展温度范围选择，使MRAM可用于恶劣的应用环境，如工业、军事、航空和和汽车应用设计等。在这类应用中，半导体产品必须能够忍受恶劣的工作环境和极端的温度范围。

       飞思卡尔还推出了一种1Mbit器件MR0A16A，扩展了商用MRAM产品系列。该器件可为系统设计师提供另一种密度选择，它针对的是主流嵌入式产品市场上的”最佳点（sweet spot）“。此外，飞思卡尔还计划进一步扩展其MRAM产品系列，在2007年第三季度增加总共九种商用和工业用扩展温度产品。