飞思卡尔成立独立公司助推MRAM业务吸引风险投资

       2008年6月9日， 飞思卡尔半导体今日宣布，它与几大风险投资公司合作，成立一家主营MRAM（磁阻随机存取存储器）业务的独立公司。新公司名为EverSpin Technologies，将继续交付并扩大它当前独立的MRAM及相关磁阻产品组合。飞思卡尔将把MRAM技术、相关知识产权和产品转让给EverSpin Technologies，并持有新公司的股份。飞思卡尔将继续开发基于EverSpin的MRAM技术的嵌入式产品。对EverSpin进行投资的风险投资公司包括：New Venture Partners、Sigma Partners、 Lux Capital、Draper Fisher Jurvetson和Epic Ventures。
     

       飞思卡尔是MRAM技术的领先者，而且是市场上唯一的批量提供商。MRAM采用与传统硅电路结合的磁性材料，在单一、无限耐久性器件中提供带非易失性闪存的高速SRAM。MRAM器件在设计中把非易失性和RAM的最佳功能结合起来，实现新类型智能电子器件的“即时启动”和功率损耗保护功能。

      “MRAM是有别于半导体市场上，用于独立内存和嵌入式产品的大多数应用的一种技术。”飞思卡尔半导体高级副总裁兼首席技术官Lisa Su表示，“成立新公司是为了助推MRAM在整个新应用套件的采用。”

       “现有的飞思卡尔MRAM产品在市场上发挥了重要推动作用，飞思卡尔意识到成立一家主营该业务的独立公司有助于扩大业务机会。” New Venture Partners执行合伙人Steve Socolof表示，“飞思卡尔的MRAM产品具有的独特性能和出色的可靠性，使EverSpin成为一个很好的投资机会。我们很高兴与飞思卡尔合作，提供扩大EverSpin产品组合及技术路线图需要的支持和资源。” 

       “MRAM对商用和消费电子器件的开发及上市方式具有很大影响。” EverSpin Technologies首席运营官Saied Tehrani表示，“EverSpin团队期待在飞思卡尔内部取得更大的技术成功和市场成功。”

         根据协议，EverSpin Technologies将拥有位于亚利桑那州Chandler的MRAM生产厂房的所有权。EverSpin将继续为飞思卡尔现有的独立MRAM客户供应产品。此外，它还将为飞思卡尔嵌入式产品提供MRAM技术。

       2006年发布的飞思卡尔MR2A16A 4Mbit产品，是全球第一款高性能的MRAM产品，曾先后荣获《设计新闻》(Design News)的“金捕鼠器”(Golden Mouse Trap )年度产品奖；2007年研发100强奖；2006年《Electronic Products》年度产品奖；2007年 EE Times中国存储器年度产品奖；LSI 2007年优胜奖以及ESEC（日本）和2007 In-Stat/Microprocessor Report的年度创新产品奖。 此外，飞思卡尔的MRAM器件还最终入围EDN的2006年创新奖和EE Times的 2006 ACE奖评选。