飞思卡尔4 Mbit MRAM设备荣获《Electronic Products》杂志年度产品奖

　　2007年1月4日－德克萨斯州奥斯汀讯－嵌入式半导体设计与制造领域的全球领导者飞思卡尔半导体宣布，公司的4 Mbit MR2A16A磁阻随机存取存储器（MRAM）设备荣获《Electronic Products》杂志评选的年度产品大奖。随着该存储器技术商业化的成功，飞思卡尔将加快在大小、成本、功耗和系统性能等各方面都得到显著优化的新型电子产品的上市步伐。

　　MR2A16A设备集非易失性存储器（NVM）与随机存取存储器（RAM）的最佳功能于一身，实现了新型智能电子设备的"瞬时启动"功能与功率损耗保护功能。该设备非常适合各种商业应用，如联网、安全、数据存储、游戏和打印机。该产品旨在为那些将电池用作电源的SRAM单元提供一种经济可靠的单组件替换品。此外，该设备还可用于高速缓冲存储器、配置存储器，以及要求具有MRAM的速度、持久力和非易失性的其它应用。

　　"能够获得《Electronic Products》杂志这类在业界享有盛誉的刊物的认可，必将进一步增强我们MR2A16A MRAM产品的突破性创新能力和巨大的商业潜能，"飞思卡尔高级副总裁兼汽车和标准产品部总经理Paul Grimme表示，"作为第一家实现了MRAM技术商业化的公司，飞思卡尔已经推出了非易失性存储器产品，我们认为它必将成为未来十年中最重要的裂变性半导体技术之一。"

　　电子设计工程师的领先行业出版物《Electronic Products》的编辑在创新设计、技术或应用的显著改进以及价格和性能的实际成果的基础上，对2006年推出的几千种产品进行了评估。

　　《Electronic Products》杂志社的西海岸编辑Jim Harrison表示："MR2A16A将高速读写、无限循环与非易失性等相结合的独特功能使飞思卡尔设备成为我们'年度产品奖'的不二选择。作为同类存储器产品中的第一款设备，MR2A16A忠实地履行了 MRAM技术的商用承诺。由于不再需要电池来确保非易失性，飞思卡尔的MRAM产品比其它存储器产品更加简单、经济高效和可靠。"

　　2006年度产品奖将在2007年第一期《Electronic Products》杂志中宣布，获奖产品将刊登在杂志封面并包含每种产品的简要说明。《Electronic Products》杂志早在1977年就开始评选业内最佳产品，截至2006年，"年度产品奖"已经颁发了31届。

　　如需了解关于飞思卡尔MRAM产品和技术的更多信息，请访问：www.freescale.com/files/pr/mram.html。

　　关于飞思卡尔半导体
　　飞思卡尔半导体是全球领先的半导体公司，为汽车、消费电子、工业控制、网络和无线市场设计并制造嵌入式半导体产品。这家私营跨国公司总部位于德州奥斯汀，在全球30多个国家和地区拥有设计、研发、制造和销售机构。飞思卡尔是全球最大的半导体公司之一，在过去的四个季度里总销售额达到62亿美元。如需了解其他信息，请访问：www.freescale.com。