2008年下半年将有4个世代工艺NAND Flash流通市面

　　三星电子(Samsung Electronics)在2008年5月底曾对外宣布，其42纳米工艺NAND型闪存(Flash)已经送样，并计划于2008年第3季度正式量产。由于东芝(Toshiba)已于第2季度结束前正式量产，海力士(Hynix)、IM Flash也预计于第3季度开始量产，随着2008年第3季度到来，NAND Flash大厂已正式进入40纳米世代，预估到2008年下半年将有机会见到4个世代工艺NAND Flash流通市面。

　　东芝拔头筹　　直逼三星龙头宝座

       东芝近年来在NAND Flash领域发展十分积极，不但在2007年第4季度率先量产56纳米工艺NAND Flash，为各大厂中最快进入50纳米工艺世代者，现在又领先其它竞争者1步，在2008年第2季度结束前量产43纳米工艺NAND Flash，开启40纳米工艺世代首页。

       在产能扩充上，东芝也持续其既定脚步，不因2008年上半年的市况低迷而退缩，东芝目前单月产能已达8万片(以12英寸晶圆计)，预估2008年底可达11万片的月产能水平，至2009年第1季度时，更可进一步提升至15万片月产能。

       东芝目前56纳米NAND Flash占总NAND Flash出货量比重达90%以上，43纳米新工艺导入后，也将视工艺转换情形逐步提高其比重。东芝计划在2008年第4季度时，将43纳米NAND Flash出货量比重提升到50%，并计划到2009年第1季度时，该比重可超过90%，取代56纳米成为东芝主流工艺，以进一步提升成本竞争力。

       相较于东芝的积极，身为NAND Flash芯片龙头的三星也不甘示弱，宣布其42纳米NAND Flash亦将于2008年第3季度正式量产，且目前已经完成送样，不会落后东芝太多。

       三星42纳米NAND Flash，采用的是其自创的CTF(Charge Trap Flash)技术，三星表示此技术可用于一向被业界视为极限的45纳米以下工艺，目前与CTF相关的技术专利已多达155项，希望能取代过去由东芝所创的浮动闸(Floating Gate)技术，除可通过更先进技术降低NAND Flash生产成本，亦可省去需支付给东芝浮动闸技术的专利权利金，以进一步提升获利。

       三星从60纳米工艺世代开始，量产动作虽总较东芝慢1~3个月，然三星凭借着其强大的产能，仍能维持住其营收与市占率的龙头宝座，不过三星在2008年第1季度的市占率，已由2007年第4季度的41%衰退至39.6%，面对东芝市占由2007年第4季度的22.3%大幅提升至26.4%，三星的压力可想而知。

       海力士48纳米量产延宕　已然错失领先机会

       海力士于2007年底宣布将于2008年初量产48纳米工艺NAND Flash时，着实让业界大吃一惊，也让其它NAND Flash业者捏了一把冷汗。然雷声大雨点小，海力士因其主流57纳米工艺NAND Flash的成本结构尚不具竞争力而影响销售，连带导致48纳米工艺NAND Flash的正式量产时间从原先对外宣布的2008年1月一再延宕，至2008年6月底才开始量产，平白错失与竞争者拉大差距的大好机会。

       由于2008年初以来的NAND Flash价格大幅下跌，使得海力士受伤不轻，2008年第1季度的市占率也较2007年第4季度的20.8%下滑至17.5%，为提升整体获利，海力士除已于2008年第1季度逐渐停产较不具成本竞争力的57纳米工艺NAND Flash，亦加紧脚步实现48纳米工艺NAND Flash的量产计划，试图降低NAND Flash的生产成本。

      在40纳米工艺以下世代的竞局中，虽海力士的工艺转换进度总算没有再度落后其竞争者，然在技术上，面对东芝的43纳米工艺与三星的42纳米工艺，以及IM Flash的34纳米工艺，海力士的48纳米工艺仍有一小段差距，加上产能逐渐缩减，能否在40纳米工艺阶段维持其NAND Flash市占第3的位子，业界都在看。

      IM Flash工艺大跃进　舍40纳米直接转进30纳米

      由英特尔(Intel)与美光(Micron)合资成立的IM Flash，在进入50纳米工艺之后，工艺研发与量产的脚步愈趋积极，在三星与东芝宣布即将量产40纳米工艺NAND Flash的同时，IM Flash亦对外表示将以34纳米工艺量产32Gb的MLC (Multi-Level Cell)型NAND Flash，以与三星及东芝一较高下。

      IM Flash的34纳米NAND Flash由英特尔与美光共同研发，已于6月底送样，并预计于2008年第3季度正式进入量产，初期以生产32Gb的MLC型NAND Flash为主，至于SLC型NAND Flash，则会在2008年底前进入量产。

      相较于其它竞争者均按部就班从50纳米工艺转进40纳米工艺，IM Flash选择跳过40纳米工艺，直接由30纳米工艺切入，冀望通过更先进的工艺技术来提升其成本竞争力，以抢攻更多的NAND Flash市占。

       结合英特尔与美光之力的IM Flash，近1年来在营收与市占率方面皆有进展，其2008年第1季度合并市占率已达13.3%，较2007年第4季度的12.2%呈正增长，且与海力士的2008年第1季度市占率17.5%相比，差距已愈来愈小。

       段标：NAND Flash随工艺快速演进 控制IC支持能力更显重要

        2008年初各大厂才陆续完成50纳米的转进，使其成为主流工艺，才半年的时间，便又开始40与30纳米工艺的转换，待各厂新工艺产品量产后，2008年NAND Flash市场上将同时有4种工艺的产品在市面上流动，包括属于旧工艺的60纳米NAND Flash、属于目前主流工艺的50纳米NAND Flash，以及新工艺的40与30纳米NAND Flash。

       由于各NAND Flash大厂工艺并不相同，与终端产品的兼容程度亦不一致，管理上将愈来愈复杂，因此，控制IC的支持能力将愈显重要，如何管理不同工艺的NAND Flash芯片，让不同厂牌的NAND Flash皆可兼容于特定终端产品，避免终端产品基于成本或效能考虑必须改用别款NAND Flash芯片时，发生终端产品与NAND Flash芯片不兼容情形，将是控制IC业者在设计控制IC芯片时的一大挑战。

       此外，随着NAND Flash工艺不断微缩，芯片尺寸与芯片内电子可活动的空间也愈来愈小，导致电子间的干扰情形愈显频繁，进而影响NAND Flash芯片的稳定度与耐用度，此为NAND Flash先天的物理限制，且此情形在MLC NAND Flash较SLC NAND Flash更严重，因此MLC NAND Flash控制IC较SLC NAND Flash控制IC需要更强的支持能力。

       过去在60纳米工艺之前，MLC NAND Flash因主要用在随身碟与记忆卡等产品，其ECC除错能力约在4位(bit)即可支应，然随NAND Flash工艺演进至50纳米，支持MLC NAND Flash的控制IC必须能做到1次纠正8~12位错误的能力，未来NAND Flash工艺进入40奈以下后，则必须进一步演进至1次纠正12~24位错误能力，以配合NAND Flash芯片的世代演进。