Vishay推出新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET Si8445DB

       日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型20V p通道TrenchFET功率MOSFET——Vishay Siliconix Si8445DB，该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有业界最小占位面积以及1.2V时业界最低的导通电阻。

        随着便携式电子设备的体积越来越小以及它们功能的不断增加，电源管理电路的可用板面空间会极大减少。为实现消费者对用电池做电源的电子设备的更长运行时间的期望，设计人员需要具有低功耗的更小MOSFET封装---这恰恰是新型Vishay Siliconix Si8445DB所具有的特点。

       凭借1.2mm×1.0mm的超小占位面积，Si8445DB比业界大小仅次于它的器件小20%，同时具有0.59mm的相同超薄厚度。Si8445DB具有1.2V VGS时0.495Ω～4.5V VGS时0.084Ω的低导通电阻范围。1.2V时的低导通电阻额定值降低了对电平位移电路的需求，从而节约了便携式电子设计中的空间及功率。

       该新器件的典型应用将包括手机、PDA、数码相机、MP3播放器及智能电话等便携式设备中的低阈值负载开关、充电器开关及电池管理。

       目前，该新型MICRO FOOT芯片级功率MOSFET的样品与量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为10～12周。

                  Vishay推出新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET Si8445DB