瑞萨推出RJK0383DPA双类型功率MOSFET

        2008年7月14日，瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）推出用于笔记本电脑和通信设备等产品的存储器或ASIC同步整流DC/DC转换器的RJK0383DPA双类型功率MOSFET。该器件可以实现更高的电源效率。

       RJK0383DPA集成了两种不同类型的双功率MOSFET，构成了一个采用WPAK*1 （瑞萨科技封装代码）高热辐射封装的同步整流DC/DC转换器，其面积为5.1×6.1 mm，厚度为0.8 mm（最大）。

      RJK0383DPA的功能概括如下:

     （1）先进工艺实现了91.6%的显著电源效率

      RJK0383DPA采用先进的第十代功率MOSFET实现了更高的电源效率。例如，当把12 V输入转换成为1.1 V输出时的电源效率为91.6%（在600 kHz开关频率条件下），这是业界最高的效率。功率MOSFET处理的电源输出电流比瑞萨科技较早的双类型产品增加了一倍。

     （2）通过将较早的双封装功率MOSFET配置的芯片安装面积减少一半，实现了更加小巧的电源设计和安装密度通过实现更高的电源效率，RJK0383DPA将双封装功率MOSFET配置的芯片安装面积减少了大约一半，从而实现了更加小巧的同步整流DC/DC转换器和更高的安装密度。RJK0383DPA对于要求紧凑的移动设备等应用尤为有效。

       RJK0383DPA的后续产品将是不同额定输出电流的两款其他产品——RJK0384DPA和RJK0389DPA。样品将于2008年10月开始在日本交付。

      产品背景

       典型的通信设备或便携式PC或图形卡等信息设备，以及存储器、ASIC和图形处理单元（GPU）等元件都使用不同的电源电压。这就需要使用多个同步整流DC/DC转换器。此外，最近几年由于更多功能和性能以及数据处理量的增加，独立的微处理芯片的功耗也在不断增加。这就产生了对具有更低电压和更高电流规格的同步整流DC/DC转换器的需求。当一个系统中使用的功率MOSFET数量增加时问题便会出现。

      为了满足这些要求，瑞萨科技提高了其功率MOSFET产品的性能并改进了封装配置。通过采用双封装配置提高了同步整流DC/DC转换器的电源效率，从而增加了电源输出电流，却没有增加功率MOSFET的数量。此外，瑞萨科技还开发和批量生产了在一个封装中集成了两个功率MOSFET的双类型产品，进而减少了安装面积。不过，由于散热问题，双类型产品的电源效率不像双封装功率MOSFET配置那样好，而且电流输出较低。很明显，市场需要一种具有改善电源效率的双类型功率MOSFET产品来满足移动设备的小型化需求。

新型RJK0383DPA是一种采用先进的第十代低损耗工艺制造的双类型功率MOSFET。与瑞萨科技较早的双类型产品相比，它可以实现高出大约7%的电源效率。